國際電子聯(lián)合會半導體器件的型號命名分四部分組成,各部分的含義見下表。
第一部分用字母表示半導體器件的材料。
第二部分用字母表示半導體器件的類別。
第三部分用數(shù)字或字母與數(shù)字混合表示序號。
第四部分用字母表示器件的規(guī)格號(同一類產品的檔次)。
二極管型號命名及含義 |
第一部分: 半導體材料 |
第二部分: 類別 |
第三部分: 序號 |
第四部分: 規(guī)格號 | ||
字母 | 含義 | 字母 | 含義 | 用數(shù)字或字母與混合表示器件的登記序號。通用器件用三位數(shù)字,專用器件用一個字母加兩位數(shù)字。 | 用字母A-E表示同一型號器件的檔次 |
A | 鍺材料 | A | 檢波管、開關管、混頻管 | ||
B | 變容管 | ||||
B | 硅材料 | E | 遂道管 | ||
G | 復合管 | ||||
C | 砷化鎵 | H | 磁敏管 | ||
P | 光敏管 | ||||
D | 銻化銦 | Q | 發(fā)光客 | ||
X | 倍壓管 | ||||
R | 復合材料 | Y | 整流管 | ||
Z | 穩(wěn)壓管 |
三極管型號命名及含義 |
第一部分: 半導體材料 |
第二部分: 類別 |
第三部分:序號 | 第四部分: 規(guī)格號 | ||
字母 | 含義 | 字母 | 含義 | ||
A | 鍺材料 | C | 低頻小功率晶體管 | 用數(shù)字或字母與數(shù)字混合表示器件的登記序號 | 用字母A—E表示同一型 號器件的檔次 |
D | 低頻大功率晶體管 | ||||
F | 高頻小功率晶體管 | ||||
高頻大功率晶體管 | |||||
B | 硅材料 | S | 小功率開關管 | ||
U |
大功率開關管 | ||||
R | 小功率晶閘管(可控硅) | ||||
R | 復合材料 | T | 大功率晶閘管(可控硅) | ||
K | 開放磁路中的 | ||||
M | 封閉磁路中的霍爾元件 | ||||
G | 復合管或其它器件 |
BU208(硅材料大功率開關晶體管) | BD132(硅材料低頻大功率晶體管) |
B——硅材料 | B——硅材料 |
U——大功率開關管 | D——低頻大功率 |
208——登記序號 | 132——通用器件 |
本頁關鍵詞:國際電子聯(lián)合會半導體器件的型號命名方法